Моя заявка (0)

SCT012W90G3AG,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247

SCT012W90G3AG,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059043472
Артикул
SCT012W90G3AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
HiP247
Цена по запросу
(от 6 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleHiP247
Drain Source Voltage Vds900V
Operating Temperature Max200°C
Continuous Drain Current Id110A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт625W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация