SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056777360
- Артикул
- SCT012H90G3AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 15 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 3-го поколения компании ST. Устройство отличается очень низким значением RDS (on) во всем диапазоне температур в сочетании с низкой емкостью и очень высокой скоростью переключения, что повышает эффективность применения с точки зрения частоты, энергоэффективности, размера системы и снижения веса.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | SCT |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 2.8V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 138nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |