SCH1436-TL-W, Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.8A 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002224262
- Артикул
- SCH1436-TL-W
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.21.00.95
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 2738 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Package Width | 1.5 |
| Package Height | 0.56 |
| Package Length | 1.6 |
| EDA / CAD Models | SCH1436-TL-W by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-563 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 4.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10.4 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 88@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 180@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |