SBSP52T1G, Darlington Transistors SS SOT223 DL XSTR NPN 80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005376157
- Артикул
- SBSP52T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.11
- Power - Max
- 800 mW
Цена по запросу
(от 62,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 80 В 1 А 800 МВт для поверxностного монтажа SOT-223 (TO-261)
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.11 |
| Power - Max | 800 mW |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Transistor Type | NPN-Darlington |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Supplier Device Package | SOT-223(TO-261) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |