SBCP56-16T3G, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 1А; 1,5Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072513727
- Артикул
- SBCP56-16T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- RoHS
- Details
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor
Цена по запросу
(от 42,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Технические параметры
| Tab | Tab |
| RoHS | Details |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 3.7 mm |
| Height | 1.75 mm |
| Length | 6.7 mm |
| Series | SBCP56 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.19 |
| Серия | SBCP56 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.006632 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Transistor Polarity | NPN |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| DC Current Gain hFE Max | 250 mA |
| Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 130 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 VDC |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 130(Typ) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 VDC |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |