SBCP56-16T1G, Bipolar Transistors - BJT SBN SSP SOT223 NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526691
- Артикул
- SBCP56-16T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 3.5 mm
- Height
- 1.57 mm
Цена по запросу
(от 70,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 3.5 mm |
| Height | 1.57 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | BCP56 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BCP56 |
| Min DC gain | 100 mA |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rated current | 1 A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Collector current | 1 A |
| Power dissipation | 1.5 W |
| Saturation voltage | 500 mV |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Max DC amplification | 250 mA |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transit frequency fTmin | 130 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 130 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Maximum Operating Frequency | 130 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 100 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 80 V |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |