Моя заявка (0)

SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014513871
Артикул
SBCP56-10T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3+Tab
Вес, г
1
Серия
BCP56
Package Type
SOT-223
Цена по запросу
(от 68,85 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г1
СерияBCP56
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation1.5Вт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min25hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.5 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current1А
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Collector Emitter Voltage Max80В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE25hFE
Maximum Collector Emitter Voltage80 V dc
Линейка ПродукцииBCP56
Частота Перехода ft130МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160 at 150 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 150 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация