SBCP53T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005376117
- Артикул
- SBCP53T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- Вес, г
- 0.12
- Серия
- BCP53
- Power - Max
- 1.5 W
Цена по запросу
(от 52,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Вес, г | 0.12 |
| Серия | BCP53 |
| Power - Max | 1.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Supplier Device Package | SOT-223(TO-261) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |