SBCP53-10T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005376116
- Артикул
- SBCP53-10T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.11
- Серия
- BCP53
- Power Dissipation
- 1.5Вт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Серия | BCP53 |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 63hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 1.5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Усиление Тока hFE | 63hFE |
| Линейка Продукции | BCP53 |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at - 150 mA, - 2 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at - 150 mA, - 2 VDC |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |