SBC857BDW1T1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001342852
- Артикул
- SBC857BDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SC70-6, SC88, SOT363
- Brand:
- onsemi
- Series:
- BC857BDW1
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной биполярный транзистор PNP предназначен для применения в усилителяx общего назначения. Он встроен в SOT-363/SC-88, который предназначен для маломощного поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Case | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Brand: | onsemi |
| Series: | BC857BDW1 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Application | automotive industry |
| Technology: | Si |
| Current gain | 220…475 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-363 |
| Polarisation | bipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.38W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Type of transistor | PNP x2 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 at-2 mA, -5 V |
| Transistor Configuration | Dual |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |