Моя заявка (0)

SBC856BDW1T1G, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101

SBC856BDW1T1G, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001346990
Артикул
SBC856BDW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 1200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 380мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

TypePNP
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
ConfigurationDual
Package Width1.25
Package Height0.9
Package Length2
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-88
Структураpnp
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSC
Minimum DC Current Gain220@2mA@5V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)380
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)65
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1