SBC847CWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006278864
- Артикул
- SBC847CWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 200мВт
- Структура
- npn
- DC Current Gain hFE Min
- 420hFE
Цена по запросу
(от 9,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | npn |
| DC Current Gain hFE Min | 420hFE |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| DC Усиление Тока hFE | 420hFE |
| Линейка Продукции | BC847 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |