SBC847CDW1T1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001346709
- Артикул
- SBC847CDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SC70-6, SC88, SOT363
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- BC846C
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 7,20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
Технические параметры
| Case | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | BC846C |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BC846C |
| Application | automotive industry |
| Subcategory | Transistors |
| Current gain | 150…450 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Polarisation | bipolar |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Dual |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.38W |
| Type of transistor | NPN x2 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 380 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 800 at 2 mA, 5 V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 420 at 2 mA, 5 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 250 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |