SBC847BDW1T3G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005376102
- Артикул
- SBC847BDW1T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- BC847BDW1
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 22,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BC847BDW1 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |