SBC847BDW1T1G, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017548183
- Артикул
- SBC847BDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Case
- SC70-6, SC88, SOT363
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 15,77 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Case | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 100MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | BC847BDW1 |
| Application | automotive industry |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Current gain | 150…450 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | bipolar |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.25 |
| Package Height | 0.9 |
| Package Length | 2 |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-88 |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.38W |
| Type of transistor | NPN x2 |
| Структура | npn |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | SC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 380 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |