SBC847AWT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001465253
- Артикул
- SBC847AWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Серия
- BC847AW
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 9000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | BC847AW |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |