SBC846BWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005376100
- Артикул
- SBC846BWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
- Military
- No
Цена по запросу
(от 13,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 65V
Технические параметры
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | SBC846 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SC-70 |
| Корпус | SC-70-3(SOT323) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.24 |
| Package Height | 0.85 |
| Package Length | 2.1 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | npn |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-323 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 65 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |