SBC846BPDW1T2G, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, 65В, 100мА, 0,38Вт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048071232
- Артикул
- SBC846BPDW1T2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- BC846BPDW1
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | BC846BPDW1 |
| Корпус | SOT-363 |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV, 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |