Моя заявка (0)
SBC846BLT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005376097
Артикул
SBC846BLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 12,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

HTS8541.29.00.75
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.01
PCB changed3
Part StatusActive
ConfigurationSingle
Package Width1.3
Package Height0.94
Package Length2.9
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Power Dissipation225мВт
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSOT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain200@2mA@5V
КвалификацияAEC-Q101
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max65В
Maximum Power Dissipation (mW)300
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Линейка ПродукцииBC846B
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Частота Перехода ft100МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)65
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Полярность ТранзистораNPN
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация