Моя заявка (0)

SBC807-16LT3G, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 500мА; 0,225Вт; SOT23

SBC807-16LT3G, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 500мА; 0,225Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017566065
Артикул
SBC807-16LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
Вес, г
0.03
Power - Max
300 mW
Корпус
SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

45 В 300 МВт при 100 мА, 1 В 500 мА на биполярныx транзистораx PNP SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

GradeAutomotive
Вес, г0.03
Power - Max300 mW
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Структураpnp
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)500mA
Frequency - Transition100MHz
Power Dissipation (Pd)300mW
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
Transition Frequency (fT)100MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)700mV@500mA, 50mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт25

Техническая документация