S8050M-D, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 450мВт 160 при 100 мА, 1 В 800 мА 190 МГц 280 мВ при 500 мА, 50 мА NPN +150-@(Tj) SOT-23
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015798667
- Артикул
- S8050M-D
- Бренд
- Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 1,59 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 450 МВт, 160 В при 100 мА, 1 В 800 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Power Dissipation (Pd) | 450mW |
| Transition Frequency (fT) | 190MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@500mA, 50mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |