Моя заявка (0)

S2SC4617G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Surface Mount

S2SC4617G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003127597
Артикул
S2SC4617G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.4
Серия
2SC4617
Power Dissipation
125мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SSP SC75 GP XSTR 50V

Технические параметры

Вес, г0.4
Серия2SC4617
Power Dissipation125мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min120hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-75-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max50В
DC Усиление Тока hFE120hFE
Частота Перехода ft180МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности125 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSC-75
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация