S2M0040120K-1, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; Idm: 160A; 320.5W
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025868700
- Артикул
- S2M0040120K-1
- Бренд
- SMC Diode Solutions
- Case
- TO247-4
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 6.59
Цена по запросу
(от 3 026,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.59 |
| Gate charge | 118nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 55A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 320.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 160A |
| Особенности | высоковольтный |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 320.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |