S2M0016120K, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025868945
- Артикул
- S2M0016120K
- Бренд
- SMC Diode Solutions
- Case
- TO247-4
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 11 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 224nC |
| Manufacturer | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 140A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 714W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 314A |
| Особенности | высоковольтный |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 714 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |