Моя заявка (0)

RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт

RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070127494
Артикул
RZM001P02T2L
Бренд
Rohm
Type
1PCSPChannel
Width
0.9mm
Series
RZM001P02
Тип:
Small Signal MOSFET
Цена по запросу
(от 14,06 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Width0.9mm
SeriesRZM001P02
Тип:Small Signal MOSFET
Pin Count3
Вес, г0.01
Длина:1.3 mm
Серия:RZM001P02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-723
Mounting TypeSurface Mount
Высота:0.55 mm
Ширина:0.9 mm
Продукт:MOSFET
Forward Diode Voltage1.2V
Технология:Si
Power Dissipation (Pd)150mW
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:137 ns
Тип продукта:MOSFET
Maximum Power Dissipation150 mW
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Производитель:ROHM Semiconductor
Input Capacitance (Ciss@Vds)15pF@10V
Maximum Drain Source Voltage20 V
Торговая марка:ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:SOT-723-3
Continuous Drain Current (Id)100mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 P-Channel
Maximum Drain Source Resistance40 Ω
Maximum Continuous Drain Current100 mA
Время нарастания:62 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:P-Channel
Pd - рассеивание мощности:150 mW
Другие названия товара №:RZM001P02
Id - непрерывный ток утечки:100 mA
Размер фабричной упаковки:8000
Vgs - напряжение затвор-исток:- 10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Типичное время задержки выключения:325 ns
Типичное время задержки при включении:46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:120 ms

Техническая документация