Моя заявка (0)
RZM001P02T2L, MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004638664
Артикул
RZM001P02T2L
Бренд
Rohm
Type
1PCSPChannel
Width
0.9mm
Series
RZM001P02
Тип:
Small Signal MOSFET
Цена по запросу
(от 15,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Width0.9mm
SeriesRZM001P02
Тип:Small Signal MOSFET
Pin Count3
Вес, г0.01
Длина:1.3 mm
Серия:RZM001P02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-723
Mounting TypeSurface Mount
Высота:0.55 mm
Ширина:0.9 mm
Продукт:MOSFET
СтруктураP-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Технология:Si
Power Dissipation (Pd)150mW
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:137 ns
Особенности-
Тип продукта:MOSFET
Maximum Power Dissipation150 mW
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Производитель:ROHM Semiconductor
Input Capacitance (Ciss@Vds)15pF@10V
Maximum Drain Source Voltage20 V
Торговая марка:ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:SOT-723-3
Continuous Drain Current (Id)100mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 P-Channel
Maximum Drain Source Resistance40 Ω
Maximum Continuous Drain Current100 mA
Время нарастания:62 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:P-Channel
Pd - рассеивание мощности:150 mW
Другие названия товара №:RZM001P02
Id - непрерывный ток утечки:100 mA
Размер фабричной упаковки:8000
Vgs - напряжение затвор-исток:- 10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Типичное время задержки выключения:325 ns
Типичное время задержки при включении:46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:120 ms
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация