RZE002P02TL, 20V 200mA 150mW 1.2-@4.5V,200mA 1V@100uA P Channel EMT3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069646990
- Артикул
- RZE002P02TL
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RZE002P02
- Fall Time
- 17 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 1.2V DRVE PCH МОП-транзистор
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RZE002P02 |
| Fall Time | 17 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Серия: | RZE002P02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416-3 |
| Part # Aliases | RZE002P02 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.4 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Технология: | Si |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 17 ns |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | SOT-416-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Forward Transconductance - Min | 0.2 S |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 1.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Время нарастания: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| Другие названия товара №: | RZE002P02 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 0.2 S |