Моя заявка (0)
RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070189122
Артикул
RYM002N05T2CL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Brand:
ROHM Semiconductor
Series
RYM002N05
Series:
RYM002N05
Цена по запросу
(от 27,64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
Brand:ROHM Semiconductor
SeriesRYM002N05
Series:RYM002N05
Fall Time43 ns
PackagingCut Tape or Reel
Rise Time8 ns
Fall Time:43 ns
Rise Time:8 ns
TechnologySi
Вес, г0.1
SubcategoryMOSFETs
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeMOSFET
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-723-3
Part # AliasesRYM002N05
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-723-3
Part # Aliases:RYM002N05
Transistor Type1 N-Channel MOSFET
Product CategoryMOSFET
Transistor Type:1 N-Channel MOSFET
Product Category:MOSFET
Number Of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity8000
Pd - Power Dissipation150 mW
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage4.5 V
Typical Turn-On Delay Time5 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-Off Delay Time17 ns
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current200 mA
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Minimum Operating Temperature- 55 C
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance2.2 Ohms
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage50 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage300 mV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:300 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:8000

Техническая документация