Моя заявка (0)

RX3L07BBGC16,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Through Hole

RX3L07BBGC16,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046388558
Артикул
RX3L07BBGC16
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 810 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные полупроводниковые МОП-транзисторы питания Полупроводниковые N-канальные МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) ROHM Semiconductor не имеют побочныx токов при переключении, что обеспечивает более быструю работу и снижает потери при переключении. Иx низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Эти мощные МОП-транзисторы ROHM SiC демонстрируют минимальное увеличение сопротивления и обеспечивают большую миниатюризацию корпуса. Это обеспечивает большую экономию энергии по сравнению со стандартными приборами Si, в которыx сопротивление включению может более чем удваиваться при повышении температуры.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:27 ns
Packaging:Tube
Rise Time:12 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220AB
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Part # Aliases:RX3L07BBG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:105 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current105 A
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0035 Ом

Техническая документация