Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RX3L07BBGC16

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030987867
Артикул
RX3L07BBGC16
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 485,05 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор ROHM с низким сопротивлением при включении и высокой мощностью, пригодный для коммутации. Покрытие без Pb

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:27 ns
Packaging:Tube
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220AB
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Part # Aliases:RX3L07BBG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:105 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current105 A
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация