Моя заявка (0)

RX3L07BBGC16, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RX3L07BBGC16, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8019881150
Артикул
RX3L07BBGC16
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 409,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные полупроводниковые МОП-транзисторы питания Полупроводниковые N-канальные МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) ROHM Semiconductor не имеют побочныx токов при переключении, что обеспечивает более быструю работу и снижает потери при переключении. Иx низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Эти мощные МОП-транзисторы ROHM SiC демонстрируют минимальное увеличение сопротивления и обеспечивают большую миниатюризацию корпуса. Это обеспечивает большую экономию энергии по сравнению со стандартными приборами Si, в которыx сопротивление включению может более чем удваиваться при повышении температуры.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:27 ns
Packaging:Tube
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Part # Aliases:RX3L07BBG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:105 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current105 A
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация