Моя заявка (0)

RX3G07BBGC16, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RX3G07BBGC16, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023232433
Артикул
RX3G07BBGC16
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
62 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
21 ns
Цена по запросу
(от 407,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:62 ns
Packaging:Tube
Rise Time:21 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:56 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:90 ns
Id - Continuous Drain Current:130 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:27 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В