Моя заявка (0)
RVQ040N05TR, MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026400843
Артикул
RVQ040N05TR
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Brand:
ROHM Semiconductor
Series
RVQ040N05
Product
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
Brand:ROHM Semiconductor
SeriesRVQ040N05
ProductMOSFET Small Signal
Series:RVQ040N05
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time15 ns
PackagingCut Tape or Reel
Rise Time15 ns
Fall Time:15 ns
Rise Time:15 ns
TechnologySi
Вес, г1
SubcategoryMOSFETs
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeMOSFET
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-457T-6
Part # AliasesRVQ040N05
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-457-6
Part # Aliases:RVQ040N05
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.8 nC
Number Of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1.25 W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage21 V
Typical Turn-On Delay Time12 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-21 V, +21 V
Typical Turn-Off Delay Time40 ns
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current4 A
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance53 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage45 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-21 V, +21 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)53 mOhms

Техническая документация