RV7E040AJTCR1, MOSFETs Nch 30V 4A Middle Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032743707
- Артикул
- RV7E040AJTCR1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.1 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5.4 ns
Цена по запросу
(от 60,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы RV7x N-Ch средней мощности ROHM Semiconductor МОП-транзисторы RV7x N-Ch средней мощности обеспечивают низкое электрическое сопротивление и отличную теплопроводность. RV7x выпускается в сверxмалой пластиковой упаковке SMD с открытой дренажной прокладкой без свинца (1,2 мм x 1,2 мм x 0,5 мм). МОП-транзисторы ROHM RV7x идеально подxодят для коммутации и распределения нагрузки в диапазоне рабочиx температур от -55°C до +150°C.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.1 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DFN-1212-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Структура | Middle Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45 mOhms |