Моя заявка (0)

RV5A040APTCR1, Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Surface Mount

RV5A040APTCR1, Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009386948
Артикул
RV5A040APTCR1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
60 ns
Rise Time:
40 ns
Вес, г
0.05
Цена по запросу
(от 108 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы RV5x040 ROHM Semiconductor Малосигнальные МОП-транзисторы RV5x040 обладают низким вxодным сопротивлением в компактном корпусе DFN1616. RV5x040 имеет постоянный ток стока ±4,0 А и рассеиваемую мощность 1,5 Вт. Малогабаритные МОП-транзисторы ROHM RV5x040 предназначены для коммутации и переключения нагрузки.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:60 ns
Rise Time:40 ns
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:DFN-1616-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RV5A040AP
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:16 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, 0 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:160 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:62 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.044 Ом