RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015756384
- Артикул
- RV2C010UNT2L
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- RV2C010UN
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 14,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V 1A Nch Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | RV2C010UN |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-1006-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 40pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Другие названия товара № | RV2C010UN |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 470 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 340mΩ@4.5V, 500mA |