RV2C001ZPT2L, 20V 100mA 2.5-@4.5V,100mA 100mW 1V@100uA 1.5pF@10V P Channel 15pF@10V +150-@(Tj) DFN1006-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015765169
- Артикул
- RV2C001ZPT2L
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RV2C001ZP
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±10V
Цена по запросу
(от 12,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RV2C001ZP |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Fall Time: | 137 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 62 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN-1006-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RV2C001ZP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Power Dissipation (Max) | 100mW(Ta) |
| Supplier Device Package | VML1006 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 325 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |