RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062489515
- Артикул
- RV1C002UNT2CL
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RV1C002UN
- Fall Time
- 25 ns
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Nch Small Signal МОП-транзистор
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RV1C002UN |
| Fall Time | 25 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | RV1C002UN |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Package Type | DFN0806-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN0806-3 |
| Part # Aliases | RV1C002UN |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-0806-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Forward Transconductance - Min | 110 mS |
| Время нарастания | 4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Другие названия товара № | RV1C002UN |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 mA |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |