RUM002N02T2L, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8839662237
- Артикул
- RUM002N02T2L
- Бренд
- Rohm
- Width
- 0.9mm
- Series
- RUM002N02
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.32
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SW МОП-транзистор SMLL SIG N-CH 20V .2A
Технические параметры
| Width | 0.9mm |
| Series | RUM002N02 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.32 |
| Серия | RUM002N02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-723 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 Ω |
| Время нарастания | 10 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | RUM002N02 |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2Ω@2.5V, 200mA |