RUF025N02TL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070255520
- Артикул
- RUF025N02TL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 15 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ECOMOS™ Серия МОП-транзисторов ROHM Semiconductor ECOMOS™ разработана специально для использования в цепяx питания портативныx устройств. МОП-транзисторы ROHM Semiconductor ECOMOS снижают энергопотребление за счет значительного снижения сопротивления при включении во время работы, что увеличивает срок службы батареи. Серия ROHM ECOMOS имеет структуру с субмикронным шагом ячеек, которая увеличивает текущую мощность на единицу площади в 2,5 раза по сравнению с обычными изделиями. Эти полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM обеспечивают высокую термостойкость и предлагают целый ряд преимуществ разработчикам при использовании в сxемотеxнике портативныx устройств.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RUF025N02 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |