RUC002N05T116, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015753926
- Артикул
- RUC002N05T116
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RUC002N05
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 8,36 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RUC002N05 |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 55 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 6 ns |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | RUC002N05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 55 ns |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Forward Transconductance - Min | 0.4 S |
| Время нарастания | 6 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1.6Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA(Ta) |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Другие названия товара № | RUC002N05 |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |