RU30L30M-VB, 30V 35A 7.5m-@10V,14.4A 52.1W 2.8V@250uA 322pF@15V P Channel 2.23nF@15V 24.6nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) QFN-8(3x3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015910089
- Артикул
- RU30L30M-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.08
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 35 А 7.5mOhm@10V,14.4А 52,1 Вт 2.8V@250uA P-канальные МОП-транзисторы QFN-8(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.08 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24.6nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.23nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 322pF@15V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V, 14.4A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5mΩ@10V, 14.4A |