RU1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070183896
- Артикул
- RU1L002SNTL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 200мВт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 19,51 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 2.5V N-CHANNEL
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 28 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1.7Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 250мА |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | RU1L002SN |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323FL |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.7Ом |