RU1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888408
- Артикул
- RU1J002YNTCL
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RU1J002YN
- Fall Time
- 43 ns
Цена по запросу
(от 6,77 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 0.9V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RU1J002YN |
| Fall Time | 43 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | RU1J002YN |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Package Type | SOT-323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | UMT3F-3 |
| Transistor Type | 1 N-channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 43 ns |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
| Время нарастания | 8 ns |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | RU1J002YN |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 ms |