RU1E002SPTCL, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003668134
- Артикул
- RU1E002SPTCL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.5
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 200мВт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.9Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 250мА |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-85 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.9Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом |