RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: 0,4А; 200мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888424
- Артикул
- RU1C001ZPTL
- Бренд
- Rohm
- Case
- SOT323F
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- RU1C001ZP
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | SOT323F |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | RU1C001ZP |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -0.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.2W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±10V |
| On-state resistance | 6.8Ω |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -400mA |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 137 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время нарастания | 62 ns |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | RU1C001ZP |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 325 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 120 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |