Моя заявка (0)

RU1C001UNTCL, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Surface Mount

RU1C001UNTCL, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8332360401
Артикул
RU1C001UNTCL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.013
Серия
RU1C001UN
Корпус
sot-323
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CHANNEL

Технические параметры

Вес, г0.013
СерияRU1C001UN
Корпусsot-323
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада38 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage1V @ 100uA
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323FL-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания4 ns
Rds On - Drain-Source Resistance3.5О© @ 100mA,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)150mW
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C100mA
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №RU1C001UN
Id - непрерывный ток утечки100 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.1
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.180 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.5 Ом

Техническая документация