RU1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074763553
- Артикул
- RU1C001UNTCL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- RU1C001UN
- Transistor Polarity
- N Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 19,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | RU1C001UN |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 38 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 100uA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 4 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 100mA,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | RU1C001UN |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 mS |