Моя заявка (0)

RTR040N03HZGTL, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, TSMT, Surface Mount

RTR040N03HZGTL, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, TSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002373939
Артикул
RTR040N03HZGTL
Бренд
Rohm
Вес, г
34
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
1Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 122 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 4A

Технические параметры

Вес, г34
Channel TypeN Channel
Power Dissipation1Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-96-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора5.9 nC
Время нарастания18 ns
Drain Source On State Resistance0.034Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки4 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Крутизна характеристики, S4 S
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTSMT
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток48 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения37 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.034Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.034 Ом

Техническая документация