RTR025P02TL, 20V 2.5A 70m-@4.5V,2.5A 1W 2V@1mA 75pF@10V P Channel 630pF@10V 7nC@4.5V +150-@(Tch) SC-96 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015771196
- Артикул
- RTR025P02TL
- Бренд
- Rohm
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RTR025P02
- Fall Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 27,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RTR025P02 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-346T-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RTR025P02 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 115 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |